供求晶体管（650V）SCTWA90N65G2V、SCTWA90N65G2V-4 碳化硅功率MOSFET
深圳市明佳达电子有限公司供应，求购晶体管（650V）SCTWA90N65G2V、SCTWA90N65G2V-4 碳化硅功率MOSFET，只要原装正品，如代理商、贸易商、终端工厂等，散新翻新均不考虑，有满足以上需求欢迎联系我们陈先生！SCTWA90N65G2V规格：
FET 类型 N 通道技术 SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss） 650 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 119A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 18V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 24 毫欧 @ 50A，18V不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 1mA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 157 nC @ 18 VVgs（最大值） +22V，-10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3380 pF @ 400 VFET 功能 -功率耗散（最大值） 565W（Tc）工作温度 -55°C ~ 200°C（TJ）安装类型 通孔供应商器件封装 TO-247 长引线封装/外壳 TO-247-3
SCTWA90N65G2V-4属性：FET 类型 N 通道技术 SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss） 650 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 119A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 24 毫欧 @ 50A，18V不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 1mA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 157 nC @ 18 VVgs（最大值） +22V，-10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3380 pF @ 400 VFET 功能 -功率耗散（最大值） 565W（Tc）工作温度 -55°C ~ 200°C（TJ）安装类型 通孔供应商器件封装 HiP247™ 长引线封装/外壳 TO-247-3
诚信分销和回收电子元件系列库存呆料IC：5G 芯片、新能源IC、物联网IC、蓝牙IC、车联网IC、车规级IC、基站IC、通信IC、人工智能IC、医疗IC、家电IC、语音IC、存储器IC、传感器IC、微控制器IC、收发器IC、手机IC、苹果手机IC/手表IC、可穿戴IC、连接器、照明IC、电容电阻、TO-247、二三极管等一系列产品，由于收购广泛，不能一一列举。
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