罗姆SiC功率MOSFET SCT3030ARHRC15，SCT3040KRHRC15 车载SiC-MOSFET
明佳达公司全新原装出售罗姆SiC功率MOSFET SCT3030ARHRC15，SCT3040KRHRC15 车载SiC-MOSFET产品描述：
1、SCT3030ARHRC15是一款650V 70A的N沟道 SiC功率MOSFET。该产品采用沟槽结构实现了更低的导通电阻，是符合AEC-Q101标准的高可靠性车载级产品。
特点：
通过 AEC-Q101 认证
导通电阻低
开关速度快
快速反向恢复
易于并联
驱动简单
无铅电镀；符合 RoHS 规范
规格：
FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 18V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） ：39 毫欧 @ 27A，18V不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.6V @ 13.3mA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 104 nC @ 18 VVgs（最大值）： +22V，-4V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1526 pF @ 500 V功率耗散（最大值）： 262W工作温度：175°C（TJ）等级： 汽车级资质： AEC-Q101安装类型： 通孔
2、SCT3040KRHRC15是一款1200V 55A的Nch SiC功率MOSFET。该产品采用沟槽结构实现了更低的导通电阻，是符合AEC-Q101标准的高可靠性车载级产品。
产品属性产品种类: MOSFET技术: SiC安装风格: Through Hole封装 / 箱体: TO-247-4晶体管极性: N-Channel通道数量: 1 ChannelVds-漏源极击穿电压: 1.2 kVId-连续漏极电流: 55 ARds On-漏源导通电阻: 40 mOhmsVgs - 栅极-源极电压: - 4 V, + 22 VVgs th-栅源极阈值电压: 5.6 VQg-栅极电荷: 107 nCPd-功率耗散: 262 W通道模式: Enhancement配置: Single下降时间: 20 ns正向跨导 - 最小值: 8.3 S产品类型: MOSFET上升时间: 21 ns工厂包装数量: 450子类别: MOSFETs典型关闭延迟时间: 27 ns典型接通延迟时间: 6 ns
公司回收碳化硅功率MOSFET SCT3030ARHRC15，SCT3040KRHRC15 N沟道SiC功率MOSFET，只收原装正品，散新翻新均不考虑，有原厂外包装则优先！
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