碳化硅的NSF060120D7A0J 1200 V功率MOSFET，BM3G007MUV-LBE2 GaN功率级IC
1、NSF060120D7A0J是一款基于碳化硅的1200 V功率MOSFET，采用标准7引脚TO-263塑料封装（用于表面贴装PCB技术），具有出色的RDSon 温度稳定性。该MOSFET非常适合用于大功率和高压工业应用，包括电动汽车充电基础设施、光伏逆变器和电机驱动器。规格：通道模式：Enhancement配置：Single下降时间：7 nsId-连续漏极电流：38 A最大工作温度：+ 175°C最小工作温度：- 55°C安装风格：SMD/SMT通道数量：1 Channel封装 / 箱体：TO-263-7封装：Reel封装：Cut Tape封装：MouseReelPd-功率耗散：167 W产品类型：SiC MOSFETSQg-栅极电荷：57 nCRds On-漏源导通电阻：60 mOhms上升时间：9 ns工厂包装数量：800子类别：Transistors技术：SiC晶体管极性：N-Channel典型关闭延迟时间：14 ns典型接通延迟时间：12 nsVds-漏源极击穿电压：1.2 kVVgs - 栅极-源极电压：- 10 V, + 22 VVgs th-栅源极阈值电压：2.9 V明佳达电子 星际金华（供求）基于碳化硅的NSF060120D7A0J 1200 V功率MOSFET，BM3G007MUV-LBE2 GaN功率级IC，如您有多余的库存需要处理，欢迎把库存清单发送到：chen13410018555@163.com 。2、BM3G007MUV-LBE2是一款Nano Cap™ 650V GaN HEMT功率级IC，非常适用于要求高功率密度和高效率的各种电子系统。该器件集成了650V增强型GaN HEMT和硅驱动器。
特性：Nano CAP™集成输出可选5V LDO为工业应用提供长期支持产品宽工作范围，适用于VDD 引脚电压IN引脚电压的宽工作范围低VDD 静态和工作电流低传播延迟高dv/dt抗噪性可调栅极驱动器强度电源良好信号输出VDD UVLO保护热关断保护
应用：工业设备电源与大功率密度高效需求桥拓扑结构如图腾柱PFCLLC电源适配器
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