安森美MOSFET（EFC3J018NUZTDG、EFC4K110NUZTDG）双 N 沟道功率 MOSFET
深圳明佳达电子供应及收购安森美半导体MOSFET（EFC3J018NUZTDG、EFC4K110NUZTDG）双 N 沟道功率 MOSFET，只收正规渠道货源，有原厂外包装则优先考虑，有需求的朋友请联系陈先生！概览
1、EFC3J018NUZTDG这款功率 MOSFET 的导通电阻很低。该器件适用于便携式设备的电源开关等应用。最适合 1-2 节锂离子电池应用。
特性
[*]2.5 V 驱动
[*]ESD 二极管保护栅极
[*]共漏极类型
[*]符合 RoHS 规范
[*]2 kV ESD HBM
产品属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: WLCSP-6
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 23 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 500 mV
Qg-栅极电荷: 75 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
系列: EFC3J018NUZ
2、EFC4K110NUZTDG 具有超低导通电阻、高电流特性，采用小而薄的 CSP 封装。最适合 1 至 2 芯锂离子电池保护电路。
特性
[*]低 Rss（开）
[*]体积小、宽度窄
[*]无闩锁现象
[*]低栅极电荷
[*]2kV ESD HBM
[*]共漏极类型
[*]ESD 二极管保护栅极
[*]符合 RoHS 规范
产品规格
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: WLCSP-10
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 24 V
Id-连续漏极电流: 25 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.95 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 400 mV
Qg-栅极电荷: 49 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
系列: EFC4K110NUZTDG
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