英飞凌 MOSFET IQD009N06NM5CGSC，IQD009N06NM5SC OptiMOS™ 功率 MOSFET
明佳达电子【供应，回收】英飞凌 MOSFET IQD009N06NM5CGSC，IQD009N06NM5SC OptiMOS™ 功率 MOSFET，回收N-通道功率MOSFET，高价回收个人和工厂库存电子元件1、产品说明：
功率 MOSFET IQD009N06NM5CGSC，IQD009N06NM5SC具有 0.9 mOhm 的低 RDS(on)，同时具有出色的热性能，便于管理功率损耗。中心栅基底面针对并行化进行了优化。此外，与包覆封装相比，双面冷却封装的耗散功率提高了五倍。
这就为各种终端应用提供了更高的系统效率和功率密度。
2、产品属性：
型号：IQD009N06NM5CGSC
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PG-WHTFN-9
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 445 A
Rds On-漏源导通电阻: 900 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.3 V
Qg-栅极电荷: 120 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 333 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
配置: Single
下降时间: 12 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 9 ns
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 34 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
型号：IQD009N06NM5SC
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PG-WHSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 445 A
Rds On-漏源导通电阻: 900 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.3 V
Qg-栅极电荷: 120 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 333 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
配置: Single
下降时间: 12 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 9 ns
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 34 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
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