分立器件：650V IKW50N65WR5 单 IGBT，100V IXTP160N10T N 通道 MOSFET
深圳市明佳达电子原装现货【供应】分立器件：650V 50A IKW50N65WR5 单 IGBT TO-247-3，100V 160A IXTP160N10T N 通道 MOSFET TO-220-3产品描述：
1、IKW50N65WR5高速 650 V、50 A 反向导电 TRENCHSTOP™ 5 WR5 IGBT，采用 TO-247 封装。
特点
[*]VCE = 650 V
[*]IC = 50 A
[*]功能强大的单片二极管，针对 ZCS 应用进行了优化
[*]坚固耐用、温度稳定
[*]极低的 VCEsat 和低 Eoff
[*]VCEsat 具有正温度系数，易于并联
[*]低 EMI
[*]取决于（依赖于）温度的电气参数低
[*]目标应用符合 JESD-022 标准
[*]无铅电镀；符合 RoHS 规范
应用
[*]焊接
[*]PFC
[*]ZCS - 转换器
2、IXTP160N10T属于IXYS Gen1 沟槽栅功率 MOSFET 非常适合低电压/高电流应用，需要极低的 RDS(ON)，从而实现极低的功率耗散。该器件的工作结温范围很宽，从 -40°C 到 175°C，因此非常适合汽车应用和其他类似的严苛环境应用。
特点
[*]国际标准封装
[*]低 RDS(ON)
[*]雪崩额定值
[*]高电流处理能力
[*]快速本征整流器
[*]器件易于安装
[*]节省空间
[*]功率密度高
产品属性
[*]FET 类型： N 通道
[*]技术： MOSFET（金属氧化物）
[*]漏源电压（Vdss）： 100 V
[*]25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) ：160A（Tc）
[*]驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
[*]不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 @ 25A，10V
[*]不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V @ 250µA
[*]不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 132 nC @ 10 V
[*]Vgs（最大值） ：±30V
[*]不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6600 pF @ 25 V
[*]功率耗散（最大值）： 430W（Tc）
[*]工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
[*]安装类型： 通孔
[*]供应商器件封装： TO-220-3
[*]封装/外壳： TO-220-3
页:
[1]