DRAM存储器MT53E2G32D4DE-046 WT:C(DRAM 64G)、MT53E512M32D1ZW-046 WT:B(LPDDR4 16G)
深圳明佳达电子【供应原装器件】DRAM存储器MT53E2G32D4DE-046 WT:C(DRAM 64G)、MT53E512M32D1ZW-046 WT:B(LPDDR4 16G)【供应】只做原装，库存现货，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
一、MT53E2G32D4DE-046 WT:C 动态随机存取存储器 LPDDR4 64Gbit 32 200/264 TFBGA 4 WT
型号：MT53E2G32D4DE-046 WT:C
批次：新
类型：移动 SDRAM - LPDDR4
MT53E2G32D4DE-046 WT:C——产品属性
存储容量: 64 Gbit
数据总线宽度: 32 bit
最大时钟频率: 2.133 GHz
封装 / 箱体: TFBGA-200
组织: 2 G x 32
电源电压-最小: 1.06 V
电源电压-最大: 1.95 V
最小工作温度: - 25 C
最大工作温度: + 85 C
二、MT53E512M32D1ZW-046 WT:B 动态随机存取存储器 LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 WT
型号：MT53E512M32D1ZW-046 WT:B
批次：新
类型：移动 SDRAM - LPDDR4
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B——产品规格
存储容量: 16 Gbit
数据总线宽度: 32 bit
最大时钟频率: 2.133 GHz
封装 / 箱体: TFBGA-200
组织: 512 M x 32
访问时间: 3.5 ns
电源电压-最小: 1.06 V
电源电压-最大: 1.95 V
最小工作温度: - 25 C
最大工作温度: + 85 C
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